传感器
TMR2501 Z轴垂直感应TMR线性传感器
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产品型号:TMR2501
兼容型号:TMR501
磁阻结构:全桥
供电电压:0~7 V
敏度(mV/V/Oe):0.3
电阻(kΩ):5
饱和场(Oe):±1k
敏感方向:Z轴
磁滞(Oe):1
本底噪声(nT/rt(Hz) @1Hz):~50
封装形式:TO94 SSIP4
交付周期:In stock
规格说明书:
  • TMR2501

产品概述:TMR2501采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件,可感应垂直于芯片表面的磁场。当外加磁场沿垂直于芯片表面方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出。在-55℃~+150℃范围内,TMR2501的敏感度和失调电压可保持在一个稳定的水平。TMR2501性能优越,采用两种封装形式:TO94和SSIP4。


 

产品特性:(1)隧道磁电阻(TMR)技术;(2)高灵敏度;(3)低功耗;(4)优越的温度稳定性;(5)低的磁滞;(6)宽工作电压范围

 

典型应用:(1)磁力计;(2)电流传感器;(3)位置传感器


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申明:(1)多维科技承诺本说明书所提供的信息是准确和可靠的,所公开的技术未触犯其他公司的专利且具有自主知识产权。多维科技具有保留为提高产品质量,可靠性和功能以更改产品规格的权力。多维科技对任何超出产品应用范围而造成的后果不承担法律责任。(2)“多维科技“和“多维科技 感知未来”是江苏多维科技幸运飞艇官网的合法注册商标。

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