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多维科技推出高灵敏度无源磁记忆TMR磁开关传感器

发布日期:2019年04月12日    浏览次数:975

多维科技推出高灵敏度无源磁记忆TMR磁开关传感器.pdf

先进的TMR技术为高性能工业类应用实现无需供电电源的磁记忆特性

中国江苏省张家港市2019年4月13日电 江苏多维科技幸运飞艇官网日前推出带无源磁记忆功能的低功耗双极锁存开关传感器TMR1215,它是包括电梯双稳开关、非接触磁旋钮、磁翻板液位计、固态开关、速度检测等众多工业类应用的理想选择。


tmr1215


TMR1212/TMR1213/TMR1215是为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的无源磁记忆双极锁存TMR磁开关传感器系列产品。与常规的磁开关相比,TMR1212/TMR1213/TMR1215带有磁记忆功能,在掉电情况下依然可以探测磁场极性变化,并存储在磁存储单元中,上电后可以立刻读取最近一次的磁场极性状态。


                  型号

参数

TMR1215

TMR1212

TMR1213

开关类型

双极锁存

双极锁存

双极锁存

电压(V)

1.8~5.5

1.8~5.5

1.8~5.5

功耗(μA)

1.5

1.5

1.5

频响(Hz)

1000

1000

1000

工作方式

连续供电

连续供电

连续供电

敏感方向

X轴

X轴

X轴

开启点(Gs)

35

45

75

释放点(Gs)

-35

-45

-75

输出

CMOS

CMOS

CMOS

封装形式

SOT23-3,TO92S

SOT23-3,TO92S

SOT23-3,TO92S

 

多维科技的磁传感器芯片产品系列包括TMR磁开关传感器芯片、TMR线性磁场传感器芯片、TMR磁性角度传感器芯片、TMR磁性齿轮传感器芯片,磁传感器模组产品系列包括TMR磁特征检测传感器模组(金融磁头)、TMR磁图像传感器模组、TMR齿轮编码器模组、TMR旋转编码器模组、TMR电流传感器模组、TMR液位传感器模组、TMR磁强计模组、AGV磁导航传感器模组、非接触式线性位移传感器模组等。

 

多维科技(MDT®)简介

MDT创立于2010年,总部设在中国江苏省张家港,在中国北京、成都、宁波、日本大阪和美国加利福尼亚州圣何塞设有分公司。MDT拥有多项独特的专利技术和先进的制造能力,可批量生产高性能、低成本的磁传感器以满足严格的应用需求。多维科技的核心管理团队由磁传感器技术和工程服务领域的业内精英和资深专家组成。在核心团队的带领下,MDT致力于为客户带来更多附加值,并确保他们的成功。有关MDT详情,请访问:www.azy0103.com。

 

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消息来源:江苏多维科技幸运飞艇官网


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